IT之家 3 月 18 日消息，三星电子存储器开发副总裁 황상준 当地时间本月 16 日在 GTC 2026 现场表示，三星将在 HBM5 和 HBM5E 世代分别升级 HBM 内存基础（逻辑）裸片和 DRAM 裸片的工艺，而 HBM4E 的制程则将与 HBM4 相同。
IT之家整理如下：
| HBM4 | HBM4E | HBM5 | HBM5E | |
| 基础裸片 | 4nm | 4nm | 2nm | 2nm |
| DRAM | 1c nm | 1c nm | 1c nm | 1d nm |
황상준 同时提到，三星电子将 HBM4 视为其整体 HBM 内存业务的重点，目标是占据超过一半的市场份额。三星电子还将加速 HBM 的开发，实现与英伟达同步的 1 年 1 迭代更新速度。
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